商品名稱:SRAM 存儲器
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:361-FCBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CY7C4042KV13-933FCXC 是一款高性能存儲器件,通過使用兩個獨立的雙向數(shù)據(jù)端口,可最大限度地提高每秒隨機事務(wù)處理量。
CY7C4042KV13-933FCXC 的特點
72 Mbit 密度(4M × 18、2M × 36)
總隨機交易速率為 2132 MT/s
最高工作頻率為 1066 MHz
讀取延遲為 8.0 個時鐘周期,寫入延遲為 5.0 個時鐘周期
8 個存儲體架構(gòu)可實現(xiàn)每個存儲體每個周期一次訪問
所有訪問均為雙字突發(fā)
雙獨立雙向數(shù)據(jù)端口
雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 數(shù)據(jù)端口
支持兩個端口上的并發(fā)讀/寫事務(wù)
單地址端口用于控制兩個數(shù)據(jù)端口
DDR 地址信號
單數(shù)據(jù)速率 (SDR) 控制信號
高速收發(fā)器邏輯 (HSTL) 和存根串聯(lián)端接邏輯 (SSTL) 兼容信令(符合 JESD8-16A 標(biāo)準(zhǔn))
I/O VDDQ = 1.2 V ± 50 mV 或 1.25 V ± 50 mV
偽漏極開路 (POD) 信號(兼容 JESD8-24)
I/O VDDQ = 1.1 V ± 50 mV 或 1.2 V ± 50 mV
核心電壓
VDD = 1.3 V ± 40 mV
片上終端 (ODT)
可對時鐘、地址/命令和數(shù)據(jù)輸入進行編程
通過 ZQ 引腳對輸出阻抗進行內(nèi)部自校準(zhǔn)
總線反轉(zhuǎn)可降低開關(guān)噪聲和功耗
地址和數(shù)據(jù)可編程開/關(guān)
地址總線奇偶校驗錯誤保護
每位糾偏訓(xùn)練序列
片上糾錯碼 (ECC),可降低軟錯誤率 (SER)
JTAG 1149.1 測試訪問端口(符合 JESD8-26 標(biāo)準(zhǔn))
1.3-V LVCMOS 信號
采用 361 球 FCBGA 無鉛封裝(21 × 21 毫米)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關(guān)應(yīng)用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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