商品名稱:SRAM 存儲(chǔ)器
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:FBGA-165
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
CY7C2644KV18-333BZXI 是 1.8 V 同步流水線 SRAM,采用 QDR II+ 架構(gòu)。
CY7C2644KV18-333BZXI 的特性
獨(dú)立的讀寫(xiě)數(shù)據(jù)端口
支持并發(fā)事務(wù)
250 MHz 高帶寬時(shí)鐘
雙字突發(fā)可降低地址總線頻率
讀寫(xiě)端口上的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 接口(數(shù)據(jù)傳輸速率為 500 MHz),頻率為 250 MHz
提供 2.0 個(gè)時(shí)鐘周期的延遲
兩個(gè)輸入時(shí)鐘,用于精確的 DDR 時(shí)序
SRAM 僅使用上升沿
回波時(shí)鐘簡(jiǎn)化了高速系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)捕獲
數(shù)據(jù)有效引腳 (QVLD) 在輸出端指示有效數(shù)據(jù)
片上終止 (ODT) 功能
單多路復(fù)用地址輸入總線鎖存讀寫(xiě)端口的地址輸入
用于深度擴(kuò)展的獨(dú)立端口選擇
當(dāng) DOFF 為高電平時(shí),四倍數(shù)據(jù)速率 II+ 的讀取延遲為 2.0 個(gè)周期
操作類似于 QDR I 器件,當(dāng) DOFF 為低電平時(shí),讀取延遲為一個(gè)周期
核心 VDD = 1.8 V± 0.1 V;I/O VDDQ = 1.4 V 至 VDD
支持 1.5 V 和 1.8 V I/O 電源
高速收發(fā)器邏輯 (HSTL) 輸入和可變驅(qū)動(dòng) HSTL 輸出緩沖器
以 165 球 CCGA(21 × 25 × 2.83 毫米)提供
兼容 JTAG 1149.1 的測(cè)試訪問(wèn)端口
鎖相環(huán) (PLL),用于準(zhǔn)確放置數(shù)據(jù)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供無(wú)與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時(shí)不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開(kāi)關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢(shì)和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢(shì)面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計(jì)降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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