商品名稱:ARM微控制器 - MCU
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:TQFP-100
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CY8C4149AZI-S558器件是一款專為高性能、低功耗和低成本的人機(jī)界面(HMI)應(yīng)用設(shè)計(jì)的32位微控制器,屬于PSOC 4100S Max系列MCU。它采用ARM? Cortex?-M0+核心,工作頻率為48MHz。CY8C4149AZI-S558微控制器具有384KB閃存和32KB SRAM。
其特點(diǎn)包括:
CPU內(nèi)核?:采用ARM Cortex-M0+處理器,最大主頻為48MHz。?
內(nèi)存?:具有384KB閃存和32KB SRAM。?
I/O數(shù)量?:共有84個(gè)GPIO,包括24個(gè)智能I/O。
模擬功能?:一個(gè)12位、1 MSPS的SAR ADC,兩個(gè)運(yùn)算放大器,可配置為可編程增益放大器(PGA)、比較器(CMP)等。
數(shù)字功能?:8個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器/脈寬調(diào)制器(TCPWM)模塊,5個(gè)串行通信模塊(SCB),可配置為I2C、SPI或UART,一個(gè)CAN-FD控制器等?。
應(yīng)用領(lǐng)域
CY8C4149AZI-S558適用于多種應(yīng)用場景,包括工業(yè)控制、汽車人機(jī)交互(HMI)、智能家居自動(dòng)化及大型家用電器等。例如,它可以用于機(jī)器人、電感式傳感器、洗衣機(jī)、冰箱、空調(diào)、智能溫控器和打印機(jī)等設(shè)備?。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
NXP
LQFP-64
22000
ARM 微控制器 - MCU Kinetis E 32 位 MCU、ARM Cortex-M4 內(nèi)核、128KB 閃存、48MHz、QFP 64
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關(guān)應(yīng)用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時(shí)不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計(jì)降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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