N通道IPT60R022S7XTMA1 MOSFET晶體管 8-PowerSFN集成電路芯片

產(chǎn)品屬性

晶體管極性： N-溝道

通道數(shù)： 1個通道

Vds - 漏極-源極擊穿電壓：600 V

Id - 連續(xù)漏極電流：23 A

Rds On - 漏極-源極電阻：22 mOhms

Vgs - 柵極源電壓：- 20 V，+ 20 V

Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：4.5 V

Qg - 柵極電荷： 150 nC

最低工作溫度：- 55 C

最高工作溫度： + 150 C

Pd - 功率耗散： 390 W

通道模式： 增強型

配置： 單一

下降時間: 9 ns

上升時間: 4 ns

晶體管類型： 1個N通道

典型的關斷延遲時間：150 ns

典型的開啟延遲時間：30 ns

產(chǎn)品介紹

IPT60R022S7XTMA1是600V CoolMOS? S7超級結(jié)MOSFET晶體管，采用TO無引線（TOLL）封裝。

特點是

改進的熱阻

高脈沖電流容量

導電性優(yōu)化

在SMD封裝中具有同類最佳的RDS(on)。

開爾文源引腳，改善了大電流下的開關性能

TOLL封裝符合MSL1標準，完全無鉛，易于目視檢查引線

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